Compreender o crescimento de nanofios epitaxiais InAs/GaAs

Os materiais em escalas menores exibem propriedades promissoras que são úteis para uma grande variedade de aplicações. Poços quânticos semicondutores e pontos quânticos são dois exemplos principais de sistemas de baixa dimensão, onde os poços quânticos actuam como sistemas bidimensionais e os pontos quânticos actuam como sistemas zero-dimensionais. Alternativamente, os nanofios semicondutores actuam como materiais unidimensionais, e apresentam propriedades promissoras e dispositivos aplicáveis. Espera-se que estes nanofios semicondutores sejam os blocos de construção da futura tecnologia de dispositivos nanoelectrónicos e nano-optoelectrónicos. A modulação da composição dentro de um nanofios individual (heteroestrutura) permite a concepção da estrutura de banda de um nanofios e, assim, permite a fabricação de dispositivos de nanofios únicos. Estas nanoestruturas heteroestruturas mostram muitas propriedades potenciais e consequentes aplicações. No entanto, os mecanismos fundamentais de crescimento das nanoestruturas de nano-fios não foram suficientemente explorados devido à sua natureza complexa do crescimento. A este respeito, este livro aborda as questões fundamentais associadas ao crescimento de nanoestruturas axiais e radiais de nanoestruturas epitaxiais.