Analyse du vide induit par la contrainte et de l'électromigration des liaisons Cu-Cu

L'empilage face à face sur Wafer to Wafer (WoW) peut être réalisé pour les interconnexions Cu-Cu à liaison directe. Une bonne résistance mécanique pour soutenir la force de cisaillement pendant l'amincissement peut être obtenue par la liaison Cu. La fabrication de structures d'interconnexion fiables est un défi permanent. Les contraintes résultent du dépôt de matériaux, du décalage de la dilatation thermique et de l'électromigration. Le dépôt de matériaux génère inévitablement des contraintes. Les matériaux des structures d'interconnexion, sélectionnés pour fonctionner comme conducteurs, diélectriques ou barrières, ont des coefficients de dilatation thermique dissemblables. La force motrice provient de la contrainte accumulée en raison de la croissance des grains et du décalage de la dilatation thermique (CTE) entre l'interconnexion en cuivre et les diélectriques. L'espace vide est alors créé afin de libérer la contrainte résultante. De même, le phénomène d'électromigration causé par le stress du courant crée un vide. Ainsi, dans ce projet, j'ai travaillé sur le vide induit par la contrainte et l'électromigration d'un échantillon de liaison directe Cu-Cu avec une température de liaison de 300C.