Análise de Vazamento Induzido por Stress e Electromigração das ligações Cu-Cu

O empilhamento face a face em Wafer to Wafer (WoW) pode ser feito para as interligações de ligação directa Cu-Cu. Uma boa resistência mecânica para sustentar a força de corte durante o desbaste pode ser conseguida através da colagem de Cu. Ao mesmo tempo que fazer estruturas de interligação fiáveis tem sido um desafio persistente. A tensão resulta da deposição de material, da desadequação da expansão térmica e da electromigração. A deposição de material gera inevitavelmente tensão. Materiais em estruturas de interligação, seleccionados para funcionar como condutores, dieléctricos, ou barreiras, têm coeficientes de expansão térmica diferentes. A força motriz vem do stress acumulado devido ao crescimento do grão e ao desfasamento da expansão térmica (CTE) entre Cu interconectados e dieléctricos. O espaço vazio é então criado a fim de libertar a tensão resultante. Também o fenómeno de electromigração causado pelo stress actual e cria um espaço vazio. Assim, neste projecto, trabalhei no Voiding Induzido de Stress e Electromigração da amostra de ligação directa Cu-Cu com temperatura de ligação de 300C.