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Alumina (Al2O3) as Alternate Gate Dielectric in MOS Capacitors

Alumina (Al2O3) as Alternate Gate Dielectric in MOS Capacitors

von Ajay Gahlot
Softcover - 9783330319165
49,90 €
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Beschreibung

In this book, some fundamental issues regarding the limitation of ultra thin silicon dioxide as gate dielectric are discussed. The scaling limit of silicondioxide and high leakage currents, indicate a need for an alternate gate dielectric to meet the industries demand for greater integrated circuit functionality and performance at lower cost. Alumina fulfills many of the requirements of a high K dielectric for MOS applications. The present book explains the result of growing high quality alumina films on silicon substrate by PLD (pulse laser deposition) to improve the leakage current and breakdown strength.

Details

Verlag LAP LAMBERT Academic Publishing
Ersterscheinung 19. Mai 2017
Maße 22 cm x 15 cm x 0.7 cm
Gewicht 173 Gramm
Format Softcover
ISBN-13 9783330319165
Seiten 104

Schlagwörter

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