Ag/TiO2/n-InP/Au Schottky Engel Diyodu

Bu çal¿¿mada, (100) yönelimli, 500 ¿m kal¿nl¿¿¿nda 3,13x1018 cm-3 tä¿y¿c¿ yo¿unlu¿una sahip n-InP yar¿iletkeni üzerine sputtering (püskürtme) metodu ile Ag/TiO2/n-InP/Au yap¿lar olu¿turuldu. Arayüzeydeki TiO2 filmler püskürtme cihaz¿nda iki farkl¿ kal¿nl¿kta, 60 ¿ ve 120 ¿ olarak büyütüldü. Bu yap¿lar¿n baz¿ temel parametreleri 120-420 K s¿cakl¿k aral¿¿¿nda incelendi. Haz¿rlanan yap¿lar¿n ak¿m-gerilim (I-V) ölçümlerinden; idealite faktörü n, Schottky engel yüksekli¿i ¿B ve di¿er baz¿ diyot parametreleri hesapland¿. Oda s¿cakl¿¿¿nda, engel yüksekli¿i 60 ¿ film kal¿nl¿¿¿ için 0,524 eV, idealite faktörü 1,39 ve 120 ¿ film kal¿nl¿¿¿ için ise 0,50 eV, 1,42 bulundu. S¿cakl¿k art¿¿¿yla idealite faktörünün azald¿¿¿, bariyer yüksekli¿inin ise artt¿¿¿ gözlendi. Ak¿m iletimi ile ilgili olarak termoiyonik emisyon, Cheung Cheung metodu, Norde metodu uygulanarak parametreler hesapland¿ ve bulunan sonuçlar k¿yasland¿. Ak¿m-gerilim ölçümlerinden elde edilen verilere Gauss Dä¿l¿m¿ uyguland¿ ve diyotlar¿n ikili Gauss Dä¿l¿m¿ verdi¿i görüldü, ortalama engel yükseklikleri Gauss Dä¿l¿m¿ndan hesapland¿.