Teoreticheskoe issledowanie tonkih plenok karbida kremniq

Karbid kremniq predstawlqet soboj perspektiwnyj material, shiroko primenqemyj w poluprowodnikowoj tehnike. On obladaet rqdom unikal'nyh swojstw,chto mozhet pozwolit' uluchshit' prakticheski wse harakteristiki priborow silowoj i cifrowoj älektroniki, sozdannyh na ego osnowe.Razwitiü poluprowodnikowoj SiC-älektroniki prepqtstwuet nizkoe kachestwo wyraschiwaemyh monokristallow karbida kremniq. Poluchenie kachestwennyh malodefektnyh kristallow SiC opredelennogo politipa soprqzheno s rqdom trudnostej, i odna iz nih ¿ äffektiwnaq sistema uprawleniq processom rosta kristalla. Osnownaq ideq dannoj raboty zaklüchalas' w izuchenii struktury, swojstw i wozmozhnosti polucheniq grafenopodobnogo 2D SiC. Bylo izucheno wliqnie chisla sloew na wozmozhnost' perehoda iz odnoj modifikacii karbida kremniq w druguü. Byli izucheny sistemy 2D SiC na plastinkah Mg (0001) i Zr (0001), kak na potencial'nyh materialah dlq podlozhek pri wyraschiwanii monosloq, a takzhe issledowano powedenie defektow w monosloe SiS i ih wliqnie na fizicheskie swojstwa materiala.