Semiurownewye inwertory

V dannoj knige priwoditsq kratkij obzor i srawnenie razlichnyh topologij mnogourownewyh inwertorow. V knige priwoditsq srawnenie THD w zawisimosti ot chisla pereklüchatelej. Obsuzhdaütsq rezul'taty modelirowaniq treh topologij semiurownewyh inwertorow. THD kaskadnogo semiurownewogo inwertora nizhe, chem u semiurownewogo inwertora s diodnymi zazhimami i semiurownewogo inwertora s letaüschim kondensatorom. Modelirowanie pokazywaet, chto ispol'zowanie shirotno-impul'snoj modulqcii (ShIM) dlq formirowaniq impul'sow pozwolqet dopolnitel'no snizit' THD. V topologii semiurownewogo inwertora s diodnoj nagruzkoj, semiurownewogo inwertora s letaüschim kondensatorom i kaskadnogo mnogourownewogo inwertora imeetsq 12 pereklüchatelej, poätomu poteri na pereklüchenie snizheny.