Poluprowodnikowye geterostruktury w sowremennoj optoälektronike

Monografiq ob#edinqet i obobschaet rezul'taty issledowanij i prakticheskogo primeneniq fosfida indiq (InP) i geterostruktur na ego osnowe ¿ perspektiwnyh materialow i struktur w sowremennoj optoälektronike. Rassmatriwaütsq dostizheniq w oblasti tehnologii polucheniq monokristallow InP, pri ätom osoboe wnimanie udelqetsq tehnologii äpitaxial'nogo rosta tonkih sloew mnogokomponentnyh twerdyh rastworow GaInPAs izoperiodichnyh s InP. Obsuzhdeny problemy prakticheskoj realizacii ätih materialow, rassmotreny osnowy konstruirowaniq izoperiodicheskih sistem, pozwolqüschih prognozirowat' swojstwa mnogokomponentnyh twerdyh rastworow i geterostruktur na ih osnowe. Znachitel'noe mesto otwoditsq izgotowleniü i issledowaniü geterostruktur s ul'tratonkimi sloqmi s primeneniem nowyh äpitaxial'nyh processow - gazowoj äpitaxii iz metalloorganicheskih soedinenij i molekulqrno-puchkowaq äpitaxiq, chto priwelo k burnomu razwitiü nanotehnologij i sozdaniü sowershenno nowyh nanogeterostruktur s kwantowymi qmami, kwantowymi tochkami i t.d. Kniga prednaznachena dlq nauchnyh rabotnikow, inzhenerow, aspirantow i tehnikow sootwetstwuüschih special'nostej.