Podró¿ w kierunku nanodrutów

Przemys¿ mikroelektroniczny przeszed¿ do re¿imu Nanoskali, co pozwoli¿o na osi¿gni¿cie niskiego poboru mocy i wysokiej szybko¿ci prze¿¿czania w obwodach elektronicznych. Wed¿ug International Technology Roadmap for Semiconductors ITRS-2020, dzisiejsza technologia osi¿gn¿¿a rozmiar elementu poni¿ej 10nm i zmierza w kierunku 5,6nm. W celu podtrzymania skalowania nie tylko konieczne jest opracowanie nowych architektur urz¿dze¿, ale mo¿e by¿ równie¿ wymagane zast¿pienie krzemu. Intel opracowä urz¿dzenia oparte na tranzystorach trójbramkowych o d¿ugo¿ci bramki 14nm. Wielobramkowe tranzystory FET i struktury tranzystorowe Nanowire s¿ odpowiednie dla technologii poni¿ej w¿z¿a 14nm. Jednak pionowe nanodruty opracowane z materiäów z¿o¿onych III-V, tlenków o wysokim wspó¿czynniku¿ i metalowych bramek maj¿ lepsze osi¿gi.