Películas dieléctricas de alto k de óxido de circonio dopado para dispositivos MOS

Los dieléctricos de alta permitividad y los sustratos adecuados se estudian intensamente con vistas a su uso en el diseño de VLSI. Se ha estudiado a fondo un nuevo material dieléctrico de puerta de alta k, es decir, óxido de tantalio dopado con circonio (TaOx dopado con Zr) y óxido de tantalio dopado con hafnio (TaOx dopado con Hf) para futuras aplicaciones MOSFET. La deposición de un nuevo dieléctrico de puerta de alto k mediante la mezcla de Ta2O5 con ZrO2 y HfO2 utilizando la técnica de co-sputtering, para alcanzar los requisitos de estabilidad termodinámica, un alto rango de temperatura de transición amorfa a cristalina, una gran brecha de banda eléctrica y una gran barrera de banda de energía con el Si para la era ULSI. Se han realizado amplios estudios sobre el proceso de fabricación y las características del dispositivo. Por lo tanto, este libro es útil para que los lectores conozcan algunas cuestiones importantes sobre los materiales dieléctricos de puerta mixta de alto k para dispositivos de alta frecuencia.