✍️ 🧑‍🦱 💚 Autor:innen verdienen bei uns doppelt. Dank euch haben sie so schon 418.243 € mehr verdient. → Mehr erfahren 💪 📚 🙏

Nitride Semiconductor Doped with Transition Metal

Nitride Semiconductor Doped with Transition Metal

von Abdelkader Tadjer, Bendouma Doumi und Fethallah Dahmane
Softcover - 9783659511189
61,90 €
  • Versandkostenfrei
Auf meine Merkliste
  • Hinweis: Print on Demand. Lieferbar in 2 Tagen.
  • Lieferzeit nach Versand: ca. 1-2 Tage
  • inkl. MwSt. & Versandkosten (innerhalb Deutschlands)

Autorenfreundlich Bücher kaufen?!

Beschreibung

In this work, we present a theoretical study of structural, electronic, magnetic and optical properties for zinc-blende :Ga1¿xT MxN,Al1¿xT MxN and In1¿xT MxN(TM=Cr, Fe, Mn, V) using the full-potential augmented plane wave (FP-APW) method with local spin density approximation (LSDA). We have analysed the dependence of structural parameters values on the composition x in the range of x=0.125,x=0.25, x=0.50,x=0.75, we found existence of deviation from Vegard¿s law. Our calculations also verify the half-metallic ferromagnetic character of TM doped GaN, AlN and InN. Also, the role of p-d hybridization is analyzed by partial (PDOS) and total density of stat (TDOS).

Details

Verlag LAP LAMBERT Academic Publishing
Ersterscheinung 31. Juli 2018
Maße 22 cm x 15 cm x 1 cm
Gewicht 250 Gramm
Format Softcover
ISBN-13 9783659511189
Seiten 156