Mehanizm defektoobrazowaniq i radiacionnaq stojkost' soedinenij A2V6

Defekty kristalla razdelqüt na tochechnye i protqzhennye. Tochechnye defekty harakterizuütsq tem, chto iskazheniq reshetki kristalla sosredotocheny w okrestnostqh odnogo uzla, to est', lokalizowany na rasstoqniqh porqdka mezhatomnogo, a protqzhennye defekty mogut byt' linejnymi (dislokacii), ploskostnymi (mezhfaznye granicy) i ob#emnymi (pory, treschiny). Ih razmery w odnom, dwuh i treh naprawleniqh sootwetstwenno suschestwenno prewyshaüt welichinu, aprisutstwie defektow kardinal'no wliqet na mehanicheskie, älektricheskie, opticheskie i drugie swojstwa twerdyh tel. Ochewidno, chto, chem chische i sowershennee material, tem äto wliqnie zametnee. Sowremennaq tehnologiq dostigla wysokih rezul'tatow w sozdanii poluprowodnikowyh kristallow: soderzhanie ostatochnyh primesej w nih mozhet byt' ponizheno do 10%- 8 % pri minimal'nom chisle linejnyh defektow. Poätomu my i ogranichili swoe rassmotrenie tochechnymi defektami w ätih materialah. Real'nye kristally w rawnowesii pri T > 0 wsegda soderzhat nebol'shoe chislo defektow, sootwetstwuüschee minimumu potencial'noj änergii. Dopolnitel'nye defekty wnosqtsq pri razlichnyh wozdejstwiqh: nagrewe, deformacii, obluchenii chasticami i dr.