Issledowaniq po ocenke proizwoditel'nosti KMOP SBIS

Progress w ochen' masshtabnoj integracii, milliardy tranzistorow i komponentow mogut byt' razmescheny na odnom poluprowodnikowom chipe dlq realizacii slozhnyh shem. V poslednee wremq tehnologii razwiwaütsq w naprawlenii miniatürizacii poluprowodnikowyh ustrojstw, kotorye imeüt neskol'ko zametnyh prepqtstwij w rasseiwanii tepla, änergopotreblenii, ploschadi chipa i äffektiwnosti ustrojstw. Po mere prodwizheniq tehnologii na glubokij submikronnyj urowen', razmery älementow, rasseiwaemaq moschnost' iz-za toka utechki rastut s ugrozhaüschej skorost'ü. Mnogochislennye prognozy pokazywaüt, chto w blizhajshie gody moschnost' utechki stanet analogom dinamicheskoj rasseiwaemoj moschnosti, odnako dinamicheskaq moschnost' takzhe rastet i po-prezhnemu dominiruet. Optimal'nym resheniem dlq ustraneniq ätih prepqtstwij qwlqetsq analiz proizwoditel'nosti shem SBIS, razrabotannyh s ispol'zowaniem razlichnyh KMOP-tehnologij.