Introduction au MOSFET à double porte sans jonction

Les transistors à effet de champ (FET) fabriqués dans les circuits intégrés comportent principalement des jonctions. En raison de la réduction de l'échelle des dispositifs, la fabrication de ces jonctions est devenue progressivement plus difficile. En outre, il est impératif d'avoir un gradient de concentration de dopage élevé pour le bon fonctionnement du dispositif. Récemment, les chercheurs se sont concentrés sur de nouveaux dispositifs sans jonction et sans gradient de dopage. L'une de ces structures est le MOSFET à double grille sans jonction (JL-DG MOSFET) qui a montré une meilleure performance contre l'effet de canal court, à savoir l'abaissement de la barrière induite par le drain (DIBL), les changements de la tension de seuil, etc.