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Indium concentration on InGaN/GaN nanolayers quantum well

Indium concentration on InGaN/GaN nanolayers quantum well

von Samane Sadat Ahmadi und Seyed Ali Hashemizade
Softcover - 9786139911684
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Beschreibung

We believe that positive ion plays an important role in Indium-containing nitride compounds. Increasing indium, even in low amounts in nitride compounds, has been shown to increase the intensity of the radiation spectrum in LEDs and LDs.. This is related to an increase in the radiation spectrum with the effect of indium. There are various results that confirm the effect of fluctuations in the indium diffusion in nitride alloys.

Details

Verlag LAP LAMBERT Academic Publishing
Ersterscheinung 02. Oktober 2018
Maße 22 cm x 15 cm x 0.6 cm
Gewicht 167 Gramm
Format Softcover
ISBN-13 9786139911684
Seiten 100

Schlagwörter