Hueco de energía de un diodo semiconductor - Experimento

Ofrece un breve resumen sobre cómo se encuentra la brecha de energía y sus aplicaciones. La densidad de electrones es mucho mayor que la densidad de huecos en el semiconductor tipo n representado como ne >> nh mientras que, en el semiconductor tipo p, la densidad de huecos es mucho mayor que la densidad electrónica: nh >> ne.En un semiconductor tipo n, el nivel de energía donante está cerca de la banda de conducción y alejado de la banda de valencia. Mientras que en el semiconductor tipo p, el nivel de energía del aceptor está cerca de la banda de valencia y alejado de la banda de conducción.La impureza agregada en el semiconductor tipo p proporciona agujeros adicionales conocidos como átomos aceptores, mientras que en el semiconductor tipo n la impureza proporciona electrones adicionales llamados átomos donantes.El nivel de Fermi del semiconductor tipo n se encuentra entre el nivel de energía del donante y la banda de conducción, mientras que el del semiconductor tipo p se encuentra entre el nivel de energía del aceptor y la banda de valencia.En el semiconductor tipo p, los portadores mayoritarios se mueven de mayor a menor potencial, en contraste con el tipo n donde los portadores mayoritarios se mueven de menor a mayor potencial.