Films diélectriques à haute valeur k en oxyde de tantale dopé au zirconium pour dispositifs MOS

Les diélectriques à haute permittivité et les substrats appropriés font l'objet d'études intensives en vue de leur utilisation dans la conception de VLSI. Un nouveau matériau diélectrique de grille mixte à haute k, c'est-à-dire l'oxyde de tantale dopé au zirconium (TaOx dopé au Zr) et l'oxyde de tantale dopé au hafnium (TaOx dopé au Hf), a été étudié de manière approfondie pour les futures applications MOSFET. Dépôt d'un nouveau diélectrique de grille à k élevé par mélange de Ta2O5 avec du ZrO2 et du HfO2 en utilisant la technique de co-pulvérisation, afin d'atteindre les exigences de stabilité thermodynamique, une gamme élevée de température de transition amorphe-cristalline, une large bande interdite électrique et une large barrière de bande d'énergie avec le Si pour l'ère ULSI. Des études approfondies sur le processus de fabrication et les caractéristiques des dispositifs ont été réalisées. Ce livre est donc utile aux lecteurs pour connaître certaines questions importantes sur les matériaux diélectriques de grille mixtes à haut k pour les dispositifs à haute fréquence.