Tworzenie fotomasek metod¿ litografii laserowej bez masek

G¿ówne miejsce w nowoczesnej technologii wytwarzania wyrobów mikroelektronicznych zajmuje fotolitografia. Proces technologiczny fotolitografii sk¿ada si¿ z kilku podstawowych operacji: przygotowanie powierzchni p¿ytki pó¿przewodnikowej, näo¿enie warstwy fotorezystu na powierzchni¿ p¿ytki, suszenie fotorezystu, näwietlanie, wywo¿ywanie i utwardzanie fotorezystu, kontrolowanie wymiarów geometrycznych obrazu wytrawianie folii, mycie p¿ytki po wytrawieniu, usuwanie warstwy fotorezystu z powierzchni, kontrola obrobionych p¿yt. Celem pracy by¿o uzyskanie fotomasek o minimalnych parametrach mo¿liwych dla tego sprz¿tu. W tym celu zbadano wp¿yw czasu näwietlania i czasu wywo¿ywania na parametry fotomasek (charakter wzoru) otrzymanych metod¿ bezmaskowej litografii laserowej na instalacji do näwietlania ¿Heidelberg µPG501¿. W wyniku pracy wykonano fotomaski o parametrach geometrycznych 2 ¿m, przy czym dla tej partii optymalny czas näwietlania wynosi¿ 35 ms, a wywo¿ywania 60 s.