{"product_id":"tonkoplenochnye-materialy-dlq-fotoalektricheskih-primenenij-von-hana-zerfaui-und-dzhalel-dib","title":"Tonkoplenochnye materialy dlq fotoälektricheskih primenenij","description":"\u003cp\u003eCel'ü dannoj raboty qwlqetsq izuchenie wozmozhnosti primeneniq w fotoälektricheskoj tehnologii binarnogo poluprowodnikowogo materiala s kremniem kak naibolee otzywchiwym poluprowodnikom w tehnologii solnechnyh batarej. Karbid kremniq soderzhit wazhnyj i shiroko ispol'zuemyj prowodnik ne tol'ko blagodarq swoim fizicheskim swojstwam, no i blagodarq fotoälektricheskim swojstwam, kotorye mogut byt' ispol'zowany w proizwodstwe qcheek pri razrabotke poluprowodnikowyh materialow dlq fotoälektricheskih tehnologij. Issledowanie sosredotocheno na binarnoj sostawlqüschej kremnij-uglerod, nachinaq s fundamental'nogo issledowaniq strukturnyh i älektronnyh swojstw SiC pod kodom Wien2k; chislennoe modelirowanie s pomosch'ü SCAPS-1D dwuh form PN i PiN na osnowe SiC i 3C-SiC bolee tochno predstawilo adekwatnyj process dlq wybora naibolee podhodqschego materiala w kachestwe prozrachnogo sloq s ätim materialom i, takim obrazom, pozwolqüschij poluchit' luchshij wyhod ätoj fotogal'wanicheskoj qchejki, prewyshaüschij 20 %. Izuchenie nekotoryh parametrow, igraüschih wazhnuü rol' w sowershenstwowanii.\u003c\/p\u003e\u003cdiv class=\"aw-variant-hidden-subtitle-div\" id=\"aw-variant-subtitle-9786203530049\"\u003e\u003ch3\u003eChislennoe modelirowanie i optimizaciq pod SCAPS-1D swojstw 3C-SiC\u003c\/h3\u003e\u003c\/div\u003e","brand":"Autorenwelt Shop","offers":[{"title":"Softcover - 9786203530049","offer_id":40150581117021,"sku":"9786203530049","price":54.9,"currency_code":"EUR","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0940\/0622\/files\/482cb442-49b6-446c-a20f-5afc4aa8bd6c.jpg?v=1757398595","url":"https:\/\/shop.autorenwelt.de\/products\/tonkoplenochnye-materialy-dlq-fotoalektricheskih-primenenij-von-hana-zerfaui-und-dzhalel-dib","provider":"Autorenwelt Shop","version":"1.0","type":"link"}