{"product_id":"rost-i-harakteristika-kristallow-von-abdelkader-benzian","title":"Rost i harakteristika kristallow","description":"\u003cp\u003eRost odnogo poluprowodnika na drugom izwesten kak process geteroäpitaxii, kotoryj pozwolil sozdat' shirokij spektr tak nazywaemyh geteroäpitaxial'nyh priborow, takih kak swetoizluchaüschie diody wysokoj qrkosti, lazery i wysokochastotnye tranzistory. Razrabotka ustrojstw s ispol'zowaniem drugih materialow osnowana na wybore podlozhki i predstawlena kombinaciej äpitaxial'nyj sloj\/podlozhka. Takoe sochetanie s pomosch'ü processa rosta trebuet realizacii maximal'noj himicheskoj i kristallograficheskoj sowmestimosti, pri kotoroj kristallograficheskaq orientaciq sloq tochno opredelqetsq kristallom podlozhki. Struktura powerhnosti kristalla-podlozhki mozhet okazywat' wazhnoe wliqnie na swojstwa äpitaxial'nogo kristalla. S drugoj storony, gomoäpitaxiq - äto drugoj process, otlichaüschijsq ot geteroäpitaxii, esli podlozhka i sloj imeüt odinakowyj himicheskij sostaw, my goworim o gomoäpitaxii, naprimer, GaAs\/GaAs, i goworim o geteroäpitaxii, esli sloj\/podlozhka imeüt raznyj himicheskij sostaw, naprimer, InP\/GaAs. Jeti materialy ispol'zuütsq dlq proizwodstwa swetodiodow wysokogo kachestwa i tranzistorow s wysokoj podwizhnost'ü.\u003c\/p\u003e\u003cdiv class=\"aw-variant-hidden-subtitle-div\" id=\"aw-variant-subtitle-9786208597955\"\u003e\u003ch3\u003e\u003c\/h3\u003e\u003c\/div\u003e","brand":"Autorenwelt Shop","offers":[{"title":"Softcover - 9786208597955","offer_id":54055792083269,"sku":"9786208597955","price":43.9,"currency_code":"EUR","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0940\/0622\/files\/c0873f28-4241-4d08-92a9-10cff44acaf1.jpg?v=1749191950","url":"https:\/\/shop.autorenwelt.de\/products\/rost-i-harakteristika-kristallow-von-abdelkader-benzian","provider":"Autorenwelt Shop","version":"1.0","type":"link"}