{"product_id":"papel-do-recozimento-na-engenharia-de-interface-em-dispositivos-ge-mos-von-rajesh-t-v-jagadeesh-chandra-s-v-und-v-v-ramana-ch","title":"Papel do recozimento na engenharia de interface em dispositivos Ge MOS","description":"\u003cp\u003eOs dieléctricos de elevada permissividade e os substratos adequados estão a ser intensamente estudados tendo em vista a sua utilização na conceção de VLSI. No entanto, o óxido de háfnio (HfO2) é um candidato promissor para a próxima geração de dieléctricos de porta, devido à sua constante dieléctrica relativamente elevada 25 , ao seu grande intervalo de banda, à sua boa estabilidade térmica e à sua energia livre de reação relativamente elevada com o material do substrato. Recentemente, os dispositivos electrónicos baseados em Ge voltaram a receber uma atenção considerável e o Ge pode fornecer soluções para os principais problemas que a tecnologia Si enfrenta nos dispositivos CMOS avançados; isto deve-se principalmente à maior mobilidade dos buracos e dos electrões no substrato Ge. Assim, este livro é útil para os leitores conhecerem algumas questões importantes sobre a tecnologia Ge para dispositivos de alta frequência.\u003c\/p\u003e\u003cdiv class=\"aw-variant-hidden-subtitle-div\" id=\"aw-variant-subtitle-9786206433828\"\u003e\u003ch3\u003ePapel do recozimento na engenharia de interfaces\u003c\/h3\u003e\u003c\/div\u003e","brand":"Autorenwelt Shop","offers":[{"title":"Softcover - 9786206433828","offer_id":47063275274565,"sku":"9786206433828","price":35.9,"currency_code":"EUR","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0940\/0622\/files\/c1026084-5e6c-4d00-9c9e-03a09807d346.jpg?v=1759396321","url":"https:\/\/shop.autorenwelt.de\/products\/papel-do-recozimento-na-engenharia-de-interface-em-dispositivos-ge-mos-von-rajesh-t-v-jagadeesh-chandra-s-v-und-v-v-ramana-ch","provider":"Autorenwelt Shop","version":"1.0","type":"link"}