{"product_id":"modelo-de-los-efectos-de-la-radiacion-laser-sobre-heteroestructuras-semiconductoras-efectos-de-la-radiacion-laser-en-heteroestructuras-semiconductoras-utilizando-metodos-numericos-von-iliana-maria-ramirez-velasquez","title":"Modelo de los efectos de la radiación láser sobre heteroestructuras semiconductoras","description":"\u003cp\u003eEn particular, el estudio se enfoca en un modelo matemático, que representa el control del Factor de Landé electrónico de una heteroestructura semiconductora de GaAs\/GaAl\/As. La no parabolicidad y la anisotropía de las bandas de conducción y de valencia se consideran mediante la utilización del Hamiltoniano de Ogg-McCombe, al respecto se han reportado trabajos previos del director del proyecto, y son el punto de partida para considerar las propiedades del factor de Landé del sistema como función del campo magnético variable aplicado y resultados del estudio de un sistema de muchos cuerpos.\u003c\/p\u003e\u003cdiv class=\"aw-variant-hidden-subtitle-div\" id=\"aw-variant-subtitle-9783659096808\"\u003e\u003ch3\u003eEfectos de la radiación láser en heteroestructuras semiconductoras utilizando métodos numéricos\u003c\/h3\u003e\u003c\/div\u003e","brand":"Libri","offers":[{"title":"Softcover - 9783659096808","offer_id":39439312846941,"sku":"9783659096808","price":54.9,"currency_code":"EUR","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0940\/0622\/files\/fd71da5b-e776-44b0-9113-7457ef1d2b57.jpg?v=1773295269","url":"https:\/\/shop.autorenwelt.de\/products\/modelo-de-los-efectos-de-la-radiacion-laser-sobre-heteroestructuras-semiconductoras-efectos-de-la-radiacion-laser-en-heteroestructuras-semiconductoras-utilizando-metodos-numericos-von-iliana-maria-ramirez-velasquez","provider":"Autorenwelt Shop","version":"1.0","type":"link"}