{"product_id":"modelacao-de-parametros-basicos-para-mosfets-nao-convencionais-von-swapnadip-de","title":"Modelação de parâmetros básicos para MOSFETs não convencionais","description":"\u003cp\u003eNeste livro, as técnicas de engenharia de canal e engenharia de porta são combinadas para formar novas estruturas de dispositivos propostas como MOSFETs de porta de material duplo de halo único (SHDMG) e de porta de material duplo de halo duplo (DHDMG). Os MOSFET avançados são dopados de forma não uniforme em resultado de um fluxo de processo complexo. Por conseguinte, um dos factores-chave para modelar com precisão os parâmetros característicos é modelar o seu perfil de dopagem não uniforme. O livro apresenta também um modelo analítico do potencial de superfície sublimiar, da tensão limiar, da corrente de drenagem baseada na teoria da deriva-difusão e da transcondutância para SHDMG e DHDMG n-MOSFETs lineares e de perfil gaussiano que funcionam até ao regime de 40 nm. É também proposto um modelo analítico de corrente de drenagem sub-limiar baseado no potencial quasi-Fermi para transístores SHDMG e DHDMG MOS lineares e de perfil gaussiano, incorporando os campos de franja nas duas extremidades do dispositivo.\u003c\/p\u003e\u003cdiv class=\"aw-variant-hidden-subtitle-div\" id=\"aw-variant-subtitle-9786206331216\"\u003e\u003ch3\u003e\u003c\/h3\u003e\u003c\/div\u003e","brand":"Autorenwelt Shop","offers":[{"title":"Softcover - 9786206331216","offer_id":47017676341573,"sku":"9786206331216","price":43.9,"currency_code":"EUR","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0940\/0622\/files\/5ad69aa1-4229-44cc-8f76-dfffc6569abe.jpg?v=1747807830","url":"https:\/\/shop.autorenwelt.de\/products\/modelacao-de-parametros-basicos-para-mosfets-nao-convencionais-von-swapnadip-de","provider":"Autorenwelt Shop","version":"1.0","type":"link"}