{"product_id":"introducao-ao-mosfet-junctionless-double-gate-von-gaurav-dhiman-und-rajeev-pourush","title":"Introdução ao MOSFET Junctionless Double Gate","description":"\u003cp\u003eOs transístores de efeito de campo (FETs) fabricados em circuitos integrados são maioritariamente com junções. Devido à diminuição da escala do dispositivo, a fabricação destas junções tornou-se gradualmente mais difícil. Além disso, existe uma necessidade rigorosa de ter um elevado gradiente de concentração de doping para o bom funcionamento do dispositivo. Recentemente, os investigadores estão a concentrar-se em novos dispositivos em que os dispositivos são menos junção e sem necessidade de gradiente de dopagem. Uma dessas estruturas é o MOSFET (JL-DG MOSFET) de porta dupla sem junção, que tem mostrado um melhor desempenho contra o efeito de canal curto, nomeadamente a redução da barreira induzida pela drenagem (DIBL), alterações na tensão limite, etc.\u003c\/p\u003e\u003cdiv class=\"aw-variant-hidden-subtitle-div\" id=\"aw-variant-subtitle-9786204600024\"\u003e\u003ch3\u003e\u003c\/h3\u003e\u003c\/div\u003e","brand":"Autorenwelt Shop","offers":[{"title":"Softcover - 9786204600024","offer_id":39973633589341,"sku":"9786204600024","price":39.9,"currency_code":"EUR","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0940\/0622\/files\/4b463d47-32e5-41af-8251-cac8d743ab9c.png?v=1758954017","url":"https:\/\/shop.autorenwelt.de\/products\/introducao-ao-mosfet-junctionless-double-gate-von-gaurav-dhiman-und-rajeev-pourush","provider":"Autorenwelt Shop","version":"1.0","type":"link"}