{"product_id":"heterostructures-al-gan-gan-sur-silicium-von-franck-natali","title":"Hétérostructures (Al,Ga)N\/GaN sur silicium","description":"\u003cp\u003eCe travail concerne le développement et l¿évaluation de nitrures d¿éléments III épitaxiés sur substrat de silicium (111). L¿objectif de notre travail était la réalisation et l¿étude d¿hétérostructures (Al,Ga)N\/GaN en vue d¿évaluer leurs potentialités pour deux types d¿applications. La première concerne les microcavités destinées à l¿étude du couplage exciton-photon et à la fabrication de diodes électroluminescentes à cavité résonante (DELs-CR). La seconde a trait aux dispositifs hyperfréquences de type transistors à gaz 2D d¿électrons. Le chapitre I est consacré à la description d¿un procédé de croissance de GaN sur Si par epitaxie sous jets moléculaires, L¿étude des propriétés électriques et optiques d¿hétérostructures (Al,Ga)N\/GaN est reportée au chapitre II. Dans le chapitre III nous proposons et développons un moyen de contrôler la contrainte dans les superréseaux (Al,Ga)N\/GaN. De tels superréseaux sont élaborés pour la fabrication de DELs-CR émettant dans le bleu. Finalement, le régime de couplage fort exciton-photon est pour la première fois mis en évidence dans les nitrures d¿éléments III.\u003c\/p\u003e\u003cdiv class=\"aw-variant-hidden-subtitle-div\" id=\"aw-variant-subtitle-9783838149790\"\u003e\u003ch3\u003eEpitaxie par jets moléculaires - Applications composants\u003c\/h3\u003e\u003c\/div\u003e","brand":"Autorenwelt Shop","offers":[{"title":"Softcover - 9783838149790","offer_id":39467500699741,"sku":"9783838149790","price":95.9,"currency_code":"EUR","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0940\/0622\/files\/1a2d20cb-05a8-4e6f-8f7e-6b88f8a999d3.jpg?v=1777961080","url":"https:\/\/shop.autorenwelt.de\/products\/heterostructures-al-gan-gan-sur-silicium-von-franck-natali","provider":"Autorenwelt Shop","version":"1.0","type":"link"}