{"product_id":"energielucke-einer-halbleiterdiode-experiment-von-radhika-ikkurti","title":"Energielücke einer Halbleiterdiode - Experiment","description":"\u003cp\u003eEs gibt eine kurze Zusammenfassung darüber, wie Energielücken gefunden werden und welche Anwendungen sie haben. Die Elektronendichte ist viel größer als die Lochdichte im Halbleiter vom n-Typ, dargestellt als ne \u0026gt;\u0026gt; nh, während die Lochdichte im Halbleiter vom p-Typ viel größer ist größer als die Elektronendichte: nh \u0026gt;\u0026gt; ne.In einem Halbleiter vom n-Typ liegt das Donatorenergieniveau nahe am Leitungsband und entfernt vom Valenzband. Im p-Typ-Halbleiter hingegen liegt das Energieniveau des Akzeptors nahe am Valenzband und vom Leitungsband entfernt.Die im p-Typ-Halbleiter hinzugefügte Verunreinigung sorgt für zusätzliche Löcher, die als Akzeptoratome bekannt sind, während die im n-Typ-Halbleiter hinzugefügte Verunreinigung zusätzliche Elektronen liefert, die als Donoratome bezeichnet werden.Das Fermi-Niveau des n-Typ-Halbleiters liegt zwischen dem Donor-Energieniveau und dem Leitungsband, während das des p-Typ-Halbleiters zwischen dem Akzeptor-Energieniveau und dem Valenzband liegt.Im p-Typ-Halbleiter bewegen sich die Mehrheitsträger vom höheren zum niedrigeren Potenzial, im Gegensatz zum n-Typ, wo sich die Mehrheitsträger vom niedrigeren zum höheren Potenzial bewegen.\u003c\/p\u003e\u003cdiv class=\"aw-variant-hidden-subtitle-div\" id=\"aw-variant-subtitle-9786206534457\"\u003e\u003ch3\u003eExperiment\u003c\/h3\u003e\u003c\/div\u003e","brand":"Autorenwelt Shop","offers":[{"title":"Softcover - 9786206534457","offer_id":47168266207557,"sku":"9786206534457","price":43.9,"currency_code":"EUR","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0940\/0622\/files\/bbb5b535-709d-4dc2-9e39-b44c548d0541.jpg?v=1759296696","url":"https:\/\/shop.autorenwelt.de\/products\/energielucke-einer-halbleiterdiode-experiment-von-radhika-ikkurti","provider":"Autorenwelt Shop","version":"1.0","type":"link"}