Bruit Basse Fréquence dans les transistors bipolaires à hétérojonction: Transistors Si/SiGe et Si/SiGeC issus de technologies BiCMOS

Bruit Basse Fréquence dans les transistors bipolaires à hétérojonction: Transistors Si/SiGe et Si/SiGeC issus de technologies BiCMOS

von Cyril Chay
Taschenbuch - 9783838180113
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Beschreibung

Résumé: Ce travail a consisté à caractériser des transistors bipolaires à hétérojonction par des mesures de bruit basse fréquence (BF). Cette étude a porté sur deux types de composants : des transistors Si/SiGe et Si/SiGeC issus de technologies BiCMOS avancées. Les mesures de bruit basse fréquence sont effectuées en fonction de la polarisation sur des transistors présentant différents paramètres technologiques (surface d'émetteur, profil du Germanium, ...) afin de pouvoir localiser et analyser les sources de bruit. Nous avons pu modéliser le bruit en 1/f associé au courant de base ce qui nous a permis d'extraire les paramètres SPICE utilisés dans les modèles de simulation électrique des circuits. Un facteur de mérite reliant les performances fréquentielles et les performances en bruit BF a été proposé. Une étude de l'influence du stress électrique sur des transistors Si/SiGe a été effectuée pour localiser les défauts et les sources de bruit associées.

Details

Verlag Editions universitaires europeennes EUE
Ersterscheinung Mai 2012
Maße 220 mm x 150 mm x 8 mm
Gewicht 225 Gramm
Format Taschenbuch
ISBN-13 9783838180113
Auflage Nicht bekannt
Seiten 140

Schlagwörter