{"product_id":"sram-speicher-mit-geringem-leckstrom-von-debasis-mukherjee","title":"SRAM-Speicher mit geringem Leckstrom","description":"\u003cp\u003eIch stelle einige Techniken zur Verringerung der Gate- und sonstigen Leckverluste in Deep-Sub-Micron-SRAM-Speichern vor. In diesem Buch werden SRAM-Operationen im Detail beschrieben. Außerdem werden verschiedene transistoreigene Leckagemechanismen besprochen, darunter schwache Inversion, Drain-induzierte Barrierenabsenkung, Gate-induzierte Drain-Leckage und Gate-Oxid-Tunneling. Schließlich untersucht das Buch verschiedene Schaltungstechniken zur Verringerung des Leckstromverbrauchs. Die W\/L-Verhältnisse werden aus den Gleichungen für den Strom in den Transistoren (Linear- und Sättigungsmodus) für einen reibungslosen Lese-\/Schreibbetrieb von 0 und 1 berechnet. Ich verwende W1\/W3 = 1,5 und W4\/W6 = 1,5. Ich habe zunächst einen konventionellen SRAM-Speicher entworfen und den Leckstrom in verschiedenen Technologien beobachtet. In der 90-nm-Technologie weist konventioneller SRAM einen Leckstrom von 1,87nA im eingeschwungenen Zustand auf. Die Methode des Data Retention Gated Ground Cache (DGR-Cache) reduziert den Leckstrom auf 100pA. Die Drowsy-Cache-Methode reduziert den Leckstrom auf 84pA.\u003c\/p\u003e\u003cdiv class=\"aw-variant-hidden-subtitle-div\" id=\"aw-variant-subtitle-9786205450536\"\u003e\u003ch3\u003eEntwurf eines Hochleistungs-SRAM mit geringer LeistungSpeicher unter Verwendung von Gate-Leckage-ReduktionTechnik\u003c\/h3\u003e\u003c\/div\u003e","brand":"Autorenwelt Shop","offers":[{"title":"Softcover - 9786205450536","offer_id":40829090791517,"sku":"9786205450536","price":43.9,"currency_code":"EUR","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0940\/0622\/files\/c8053276-56c6-4387-954b-b681e5afe87b.png?v=1769670798","url":"https:\/\/shop.autorenwelt.de\/en\/products\/sram-speicher-mit-geringem-leckstrom-von-debasis-mukherjee","provider":"Autorenwelt Shop","version":"1.0","type":"link"}