{"product_id":"peliculas-dielectricas-de-alto-k-de-oxido-de-circonio-dopado-para-dispositivos-mos-von-s-v-jagadeesh-chandra-mallem-kumar-und-v-v-ramana","title":"Películas dieléctricas de alto k de óxido de circonio dopado para dispositivos MOS","description":"\u003cp\u003eLos dieléctricos de alta permitividad y los sustratos adecuados se estudian intensamente con vistas a su uso en el diseño de VLSI. Se ha estudiado a fondo un nuevo material dieléctrico de puerta de alta k, es decir, óxido de tantalio dopado con circonio (TaOx dopado con Zr) y óxido de tantalio dopado con hafnio (TaOx dopado con Hf) para futuras aplicaciones MOSFET. La deposición de un nuevo dieléctrico de puerta de alto k mediante la mezcla de Ta2O5 con ZrO2 y HfO2 utilizando la técnica de co-sputtering, para alcanzar los requisitos de estabilidad termodinámica, un alto rango de temperatura de transición amorfa a cristalina, una gran brecha de banda eléctrica y una gran barrera de banda de energía con el Si para la era ULSI. Se han realizado amplios estudios sobre el proceso de fabricación y las características del dispositivo. Por lo tanto, este libro es útil para que los lectores conozcan algunas cuestiones importantes sobre los materiales dieléctricos de puerta mixta de alto k para dispositivos de alta frecuencia.\u003c\/p\u003e\u003cdiv class=\"aw-variant-hidden-subtitle-div\" id=\"aw-variant-subtitle-9786205216958\"\u003e\u003ch3\u003eDiseño CMOS\u003c\/h3\u003e\u003c\/div\u003e","brand":"Autorenwelt Shop","offers":[{"title":"Softcover - 9786205216958","offer_id":40572832546909,"sku":"9786205216958","price":35.9,"currency_code":"EUR","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0940\/0622\/files\/e249453d-df29-489e-ac56-a32f2fec1f86.jpg?v=1770101042","url":"https:\/\/shop.autorenwelt.de\/en\/products\/peliculas-dielectricas-de-alto-k-de-oxido-de-circonio-dopado-para-dispositivos-mos-von-s-v-jagadeesh-chandra-mallem-kumar-und-v-v-ramana","provider":"Autorenwelt Shop","version":"1.0","type":"link"}