{"product_id":"entwurf-von-sram-mit-geringem-leckstrom-von-rajan-prasad-tripathi-und-rahul-kumar-verma","title":"Entwurf von SRAM mit geringem Leckstrom","description":"\u003cp\u003eDie meisten Forschungsarbeiten über den Stromverbrauch von Schaltkreisen konzentrierten sich auf die Schaltleistung, und die durch den Leckstrom verbrauchte Leistung war ein relativ unbedeutender Bereich. Bei den aktuellen VLSI-Prozessen wird der Sub-Threshold-Strom jedoch zu einem der wichtigsten Faktoren für den Stromverbrauch, insbesondere bei High-End-Speichern. Um die Leckleistung im SRAM zu reduzieren, kann die Power-Gating-Methode angewandt werden, und eine wichtige Technik des Power-Gating ist die Verwendung von Sleep-Transistoren zur Steuerung des Sub-Threshold-Stroms. In diesem Projekt werden doppelte Schwellenspannungen verwendet; normale SRAM-Zellen haben niedrigere Schwellenspannungen und die höheren Schwellenspannungen steuern die Sleep-Transistoren. Die Größe der Sleep-Transistoren kann anhand des Worst-Case-Stroms gewählt werden und wird auf jeden Block angewendet.\u003c\/p\u003e\u003cdiv class=\"aw-variant-hidden-subtitle-div\" id=\"aw-variant-subtitle-9786205915240\"\u003e\u003ch3\u003e\u003c\/h3\u003e\u003c\/div\u003e","brand":"Autorenwelt Shop","offers":[{"title":"Softcover - 9786205915240","offer_id":46501552750917,"sku":"9786205915240","price":39.9,"currency_code":"EUR","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0940\/0622\/files\/3ef19cfd-1cfb-43ec-a7bc-c813fdf934c2.jpg?v=1759395573","url":"https:\/\/shop.autorenwelt.de\/en\/products\/entwurf-von-sram-mit-geringem-leckstrom-von-rajan-prasad-tripathi-und-rahul-kumar-verma","provider":"Autorenwelt Shop","version":"1.0","type":"link"}